#【存储·动态速递】SK海力士开发12层堆叠HBM3-DRAM—已向客户提供样品。【浙商电子 蒋高振团队】

#【存储·动态速递】SK海力士开发12层堆叠HBM3-DRAM—已向客户提供样品。【浙商电子 蒋高振团队】

事件：

4月20日，SK海力士宣布，全球范围内首次推出12层堆叠HBM3 DRAM，最高容量达24GB，目前客户性能验证中，预计23H1完成量产准备、23H2推向市场。

?板块往期重要点评

#关键词1：存力升级。高算力需求催化HBM高带宽内存需求，同时DRAM和NAND的使用量相对普通服务器分别为8倍、3倍。未来随着AI服务器渗透率提升，有望带动市场规模持续扩容。

#关键词2：产业安全 。3月31日，我国启动对美光在华销售产品的网络安全审查。随着“数字立国”战略下网络及数据安全日益重要，加之国内存储厂商持续追赶，有望加速我国存储行业国产化进程。

#关键词3：周期筑底。存储大厂减产改善供需结构，据DRAMeXchange数据，DRAM现货价格目前已停止下跌，早于预期。随23H2半导体需求好转，有望迎来存储行业新一轮需求拐点。

#重点标的：

——存储芯片：北京君正、兆易创新、东芯股份

——存储封测：深科技、长电科技、通富微电

——存储载板：兴森科技、深南电路

——接口芯片：澜起科技、聚辰股份

——存储材料：雅克科技、安集科技、鼎龙股份