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2023
04

先进封装大势所趋,继续看好供应链!???【国盛郑震湘团队】华为《计算2030》先进封装要点


先进封装大势所趋,继续看好供应链!???【国盛郑震湘团队】华为《计算2030》先进封装要点

1)2.5D Chiplet芯片封装集成技术持续


2.5D Silicon/FO Interposer+Chiplet可提升Die良率、降低成本,堆叠集成实现更大规模芯片性能,且规格应用灵活。


华为预计25年2.5D/FO interposer 尺寸将超过4xReticle,封装substrate预计超过110mm*110mm。更大尺寸基板面临良率、交期、可靠性等问题,需要融合创新基板架构。


2)3D芯片综合性能预计提升数十倍


3D芯片技术未来会从D2W->W2W,uBump->Hybrid Bonding->Monolithic 3D技术逐渐演进,应用场景将覆盖3D Memory on Logic、 Logic on Logic及Optical on logic等,且逐步走向更多层异质堆叠。


3D堆叠工艺需要采用<10μm pitch超高密Bonding技术,更小尺寸TSV技术需要从材料、工艺基础持续探索。


3)芯片出光

华为预计高算力芯片2030年端口速率将达T级以上。芯片出光相比传统方案端到端能效 有望降低至1/3。光电转换芯片和主芯片共封,替代可拔插光模块和板载光模块,芯片出光成为未来突破带宽瓶颈关键技术。


芯片出光面临PIC光子集成电路与EIC电子集成电路3D封装,超大封装基板及OE光引擎集成,单芯片功耗密度提升等挑战。


4)大功耗芯片供电

高压单级变换、开关电容混合变换等新型供电架构配合低压GaN功率器件和高频集成磁等工程技术的应用,进一步提升单板供电端到端能效和功率密度。


芯片48V高压直供是解决芯片供电瓶颈的关键技术路径。基板、封装承受高压材料升级是芯片高压直供前提。


5)芯片层面散热

开发高导热TIM1 材料降低路径热阻,Lidless(无顶盖封装)芯片散热、封装与芯片级先进液冷技术,有望为未来芯片提供千瓦级与万瓦级散热能力,为芯片性能的跨越式提升提供散热基础。

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