先进封装大势所趋，继续看好供应链！???【国盛郑震湘团队】华为《计算2030》先进封装要点

先进封装大势所趋，继续看好供应链！???【国盛郑震湘团队】华为《计算2030》先进封装要点

1）2.5D Chiplet芯片封装集成技术持续

2.5D Silicon/FO Interposer+Chiplet可提升Die良率、降低成本，堆叠集成实现更大规模芯片性能，且规格应用灵活。

华为预计25年2.5D/FO interposer 尺寸将超过4xReticle，封装substrate预计超过110mm*110mm。更大尺寸基板面临良率、交期、可靠性等问题，需要融合创新基板架构。

2）3D芯片综合性能预计提升数十倍

3D芯片技术未来会从D2W->W2W，uBump->Hybrid Bonding->Monolithic 3D技术逐渐演进，应用场景将覆盖3D Memory on Logic、 Logic on Logic及Optical on logic等，且逐步走向更多层异质堆叠。

3D堆叠工艺需要采用<10μm pitch超高密Bonding技术，更小尺寸TSV技术需要从材料、工艺基础持续探索。

3)芯片出光

华为预计高算力芯片2030年端口速率将达T级以上。芯片出光相比传统方案端到端能效 有望降低至1/3。光电转换芯片和主芯片共封，替代可拔插光模块和板载光模块，芯片出光成为未来突破带宽瓶颈关键技术。

芯片出光面临PIC光子集成电路与EIC电子集成电路3D封装，超大封装基板及OE光引擎集成，单芯片功耗密度提升等挑战。

4）大功耗芯片供电

高压单级变换、开关电容混合变换等新型供电架构配合低压GaN功率器件和高频集成磁等工程技术的应用，进一步提升单板供电端到端能效和功率密度。

芯片48V高压直供是解决芯片供电瓶颈的关键技术路径。基板、封装承受高压材料升级是芯片高压直供前提。

5）芯片层面散热

开发高导热TIM1 材料降低路径热阻，Lidless(无顶盖封装)芯片散热、封装与芯片级先进液冷技术，有望为未来芯片提供千瓦级与万瓦级散热能力，为芯片性能的跨越式提升提供散热基础。