【申万电子】海力士HBM Hi12新品,重视存储见底信号
?SK海力士20日宣布,全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片,成功开发出最高容量24GB的HBM3 DRAM。容量较上一代HBM3 DRAM提升50%。SK海力士已向客户提供样品。
?存储芯片周期下行过半,2023Q2探底,普遍预期2023H2将复苏。23Q2供需双方处于激烈博弈阶段,虽然需求不足以支撑强劲复苏,但价格有望于23Q2提前止跌。
?大容量存储芯片下游驱动力从Mobile向AI/HPC切换。DRAM迈入1β节点,技术升级速度将放缓。NAND量产进入200L+时代,迈向1000L。
?HBM3带宽较DDR5高出10倍以上,AI服务器引爆HBM新型存储需求,2025年市场规模有望快速增至25亿美元。
?存储行业有望加速国产化替代(美光等网络安全审查)
✔半导体材料:雅克科技(申万化工,预计今年8到8.5亿,预计明年11到12亿,客户三星海力士美光台积电)
✔存储芯片:聚辰股份、兆易创新、北京君正、东芯股份。
✔存储模组:佰维存储、江波龙。
✔封装基板:兴森科技、深南电路。
✔封测:深科技、通富微电、长电科技。
✔内存接口芯片:澜起科技。