【申万电子】海力士HBM Hi12新品，重视存储见底信号

【申万电子】海力士HBM Hi12新品，重视存储见底信号

?SK海力士20日宣布，全球首次实现垂直堆叠12个单品DRAM芯片，成功开发出最高容量24GB的HBM3 DRAM。容量较上一代HBM3 DRAM提升50%。SK海力士已向客户提供样品。

?存储芯片周期下行过半，2023Q2探底，普遍预期2023H2将复苏。23Q2供需双方处于激烈博弈阶段，虽然需求不足以支撑强劲复苏，但价格有望于23Q2提前止跌。

?大容量存储芯片下游驱动力从Mobile向AI/HPC切换。DRAM迈入1β节点，技术升级速度将放缓。NAND量产进入200L+时代，迈向1000L。

?HBM3带宽较DDR5高出10倍以上，AI服务器引爆HBM新型存储需求，2025年市场规模有望快速增至25亿美元。

?存储行业有望加速国产化替代（美光等网络安全审查）

✔半导体材料：雅克科技（申万化工，预计今年8到8.5亿，预计明年11到12亿，客户三星海力士美光台积电）

✔存储芯片：聚辰股份、兆易创新、北京君正、东芯股份。

✔存储模组：佰维存储、江波龙。

✔封装基板：兴森科技、深南电路。

✔封测：深科技、通富微电、长电科技。

✔内存接口芯片：澜起科技。